CMP en reiniging

Welk verband tussen deeltjesgrootte en gemakkelijke verwijdering is in het algemeen juist bij het verwijderen van deeltjes van het waferoppervlak door reiniging?

  1. AHoe kleiner het deeltje, des te sterker is de hechtkracht relatief ten opzichte van gewicht en kracht van de stroming, en des te moeilijker het te verwijderen is
  2. BDe deeltjesgrootte speelt geen rol
  3. CKleinere deeltjes zijn gemakkelijker te verwijderen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Hoe kleiner het deeltje, des te sterker is de hechtkracht relatief ten opzichte van gewicht en kracht van de stroming, en des te moeilijker het te verwijderen is

De hechtkracht waarmee deeltjes door onder meer van-der-Waalskrachten aan het oppervlak worden getrokken is vrijwel evenredig met de deeltjesdiameter, terwijl de kracht van een vloeistofstroom evenredig is met het kwadraat en de zwaartekracht met de derde macht van de diameter, die dus kleiner worden. Kleinere deeltjes hebben daardoor een relatief sterkere hechtkracht en zijn moeilijker te verwijderen; een deeltje van 10 nm is bijvoorbeeld veel moeilijker te verwijderen dan een van 100 nm. Naarmate de relevante deeltjes door verkleining kleiner worden, wordt reiniging moeilijker.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Bij voortgezet polijsten bij CMP stijgt de temperatuur van de polijstpad. Welke verandering van de polijstsnelheid is dan in het algemeen juist?
  2. Welke uitspraak over de rol van waterstofperoxide in SC-1 (mengsel van ammonia en waterstofperoxide) is juist?
  3. Welke methode wordt in het algemeen gebruikt om het aantal deeltjes op het waferoppervlak na reiniging te tellen?
  4. Waarom is het belangrijk om een wafer direct na CMP nat, zonder hem te laten drogen, naar de reinigingsstap te brengen?
  5. Welke uitspraak over aandachtspunten bij batchreiniging, waarbij veel wafers in hetzelfde bad met reinigingsvloeistof worden gewassen, is juist?