Wat is het belangrijkste doel om in de CMP-polijstkop de druk waarmee de wafer wordt aangedrukt per concentrische zone te kunnen variëren?

Antwoord: A. De polijsthoeveelheid tussen bijvoorbeeld midden en rand van de wafer bijstellen en de laagdikte binnen de wafer uniform maken

Omdat de polijstsnelheid vrijwel evenredig is met de aandrukdruk (vergelijking van Preston), wordt het rubberen membraan in de kop in meerdere concentrische zones (circa 5 tot 10) verdeeld en kan de polijsthoeveelheid per plaats op de wafer worden bijgesteld door de luchtdruk per zone te variëren. Door de laagdiktenverdeling van het voorgaande proces te meten en door te koppelen (feedforward), of door tijdens het polijsten de laagdikte te meten en in real time bij te sturen, wordt de laagdikte na polijsten binnen enkele nm gelijk gemaakt.