CMP en reiniging
Welke uitspraak over CMP (chemisch-mechanisch polijsten) is juist?
- AHet oppervlak wordt vlak gemaakt door de chemische werking van slurry te combineren met mechanisch polijsten door de pad
- BHet oppervlak wordt vlak gemaakt door het met ionen uit een plasma af te slijpen
- CHet oppervlak wordt vlak gemaakt door het bij hoge temperatuur te smelten
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. Het oppervlak wordt vlak gemaakt door de chemische werking van slurry te combineren met mechanisch polijsten door de pad
Bij CMP wordt de wafer tegen een draaiende polijstpad gedrukt terwijl slurry met schuurdeeltjes en chemicaliën wordt toegevoerd. Door chemische reactie wordt het oppervlak omgezet in een zachte laag, die mechanisch door deeltjes en pad wordt verwijderd; zo worden een snelheid en vlakheid bereikt die met uitsluitend chemie of mechanica niet haalbaar zijn. De techniek werd in de jaren tachtig bij IBM ontwikkeld, kan hoogteverschillen van enkele tientallen nm over de hele wafer wegwerken en is onmisbaar voor multilaag-metallisatie en koperbedrading.