CMP und Reinigung
Überprüfen Sie mit Multiple-Choice-Fragen die Planarisierung durch CMP, Dishing und die Zwecke der RCA-Reinigung (SC-1 und SC-2).
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Die Fragen zu diesem Thema folgen in Kürze.
CMP und Reinigung: Das Wichtigste
Beim CMP (chemisch-mechanisches Polieren) wird die Waferoberfläche planarisiert, indem die chemische Wirkung einer Slurry mit dem mechanischen Polieren durch ein Pad kombiniert wird. Es ist unverzichtbar für Mehrlagenverdrahtung und für die Herstellung von Kupferleitbahnen im Damascene-Verfahren.
Die Reinigung entfernt Partikel, organische Stoffe, Metallverunreinigungen und natives Oxid und wird während der Fertigung viele Male wiederholt. Lernen Sie, wie die aus der RCA-Reinigung abgeleiteten Chemikalien für unterschiedliche Zwecke eingesetzt werden.