CMP en reiniging

Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van IPA (isopropylalcohol) bij het drogen van wafers na reiniging?

  1. AHet ontstaan van watermarks (droogvlekken) voorkomen
  2. BHet waferoppervlak etsen
  3. CHet waferoppervlak oxideren
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Het ontstaan van watermarks (droogvlekken) voorkomen

Als water op het oppervlak achterblijft en vanzelf droogt, blijven opgelost silica en vuil achter en ontstaan watermarks (vlekken), vooral op hydrofobe siliciumoppervlakken. IPA mengt goed met water en heeft een kleine oppervlaktespanning, circa 1/3 van die van water, zodat het water kan worden vervangen en snel kan worden gedroogd, of water van de wafer kan worden getrokken door het verschil in oppervlaktespanning met op het vloeistofoppervlak geblazen IPA-damp (Marangoni-effect); zo worden vlekken en het omvallen van fijne patronen voorkomen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Welke methode wordt gebruikt om het eindpunt van het polijsten bij CMP te detecteren?
  2. Welke grootheid is volgens de vergelijking van Preston, die de polijstsnelheid bij CMP beschrijft, evenredig met de polijstsnelheid?
  3. Welk schuurdeeltje wordt bij het CMP van STI-vorming vaak gebruikt om de polijstselectiviteit van oxide ten opzichte van siliciumnitride hoog te maken?
  4. Welke reinigingsmethode voegt ultrageluid in het MHz-gebied toe aan de reinigingsvloeistof om kleine deeltjes van het waferoppervlak te verwijderen?
  5. Wat is het belangrijkste doel van reiniging met ultrazuiver water waarin ozon is opgelost (ozonwater)?