CMP en reiniging

Welke methode verwijdert natuurlijk oxide enz. van het oppervlak zonder vloeistof te gebruiken om het instorten van fijne structuren te voorkomen?

  1. ABorstelscrubreiniging
  2. BDroge reiniging met gasvormige gassen en radicalen
  3. CMegasonische reiniging
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Droge reiniging met gasvormige gassen en radicalen

Bij hoge, dunne patronen kan de oppervlaktespanning bij het drogen van de reinigingsvloeistof de patronen naar elkaar toe trekken en doen omvallen. Bij reiniging in de gasfase (droog) met onder meer waterstoffluoridedamp of radicalen uit een plasma van NF3 en NH3 (SiCoNi-behandeling) wordt geen vloeistof gebruikt, zodat geen zorg bestaat over instorten van patronen, en kan de wafer in vacuüm met depositieapparatuur worden verbonden en direct na de behandeling zonder oxidatie naar de volgende stap gaan. Het wordt gebruikt voor het verwijderen van oxide op de bodem van contacten.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Welke combinatie van processen waarin CMP wordt gebruikt is juist?
  2. Hoe heet het werk waarbij het oppervlak van de CMP-polijstpad met een diamantgereedschap wordt afgeslepen en geconditioneerd om de polijstsnelheid stabiel te houden?
  3. Welke uitspraak over het voordeel van CMP ten opzichte van planarisatie door thermische reflow en etch-back is juist?
  4. Welke combinatie van volgorde en doel van SC-1 en SC-2 bij standaard RCA-reiniging is juist?
  5. Wat is de belangrijkste oorzaak van het omvallen van patronen bij het reinigen en drogen van patronen met een hoge aspectverhouding?