Nederlands
Menu

CMP en reiniging

Welke toestand is juist voor een siliciumoppervlak dat als laatste met verdund fluorwaterstofzuur is gereinigd?

  1. AHet oppervlak is met waterstof afgesloten en hydrofoob
  2. BHet oppervlak is met metaal bedekt
  3. CHet oppervlak is bedekt met een dikke oxidefilm en hydrofiel
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Het oppervlak is met waterstof afgesloten en hydrofoob

Een siliciumoppervlak waarvan de oxidefilm met verdund fluorwaterstofzuur is verwijderd, is met Si-H-bindingen met waterstof afgesloten en hydrofoob, zodat het water afstoot. Dit oppervlak oxideert ook in lucht gedurende enkele tientallen minuten tot enkele uren moeilijk, maar omdat het hydrofoob is, hechten gemakkelijk deeltjes aan en ontstaan ook gemakkelijk watermarks. De wachttijd tot de volgende stap, zoals gateoxidatie of epitaxiale groei (Q-time), wordt daarom beheerd.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Wat is het belangrijkste doel van een filter in de leiding waarmee slurry aan het polijstapparaat wordt toegevoerd?
  2. Welk verband tussen deeltjesgrootte en gemakkelijke verwijdering is in het algemeen juist bij het verwijderen van deeltjes van het waferoppervlak door reiniging?
  3. Bij voortgezet polijsten bij CMP stijgt de temperatuur van de polijstpad. Welke verandering van de polijstsnelheid is dan in het algemeen juist?
  4. Welke uitspraak over de rol van waterstofperoxide in SC-1 (mengsel van ammonia en waterstofperoxide) is juist?
  5. Welke methode wordt in het algemeen gebruikt om het aantal deeltjes op het waferoppervlak na reiniging te tellen?