CMP en reiniging

Welke beschrijving van de basisopbouw van een CMP-apparaat is juist?

  1. ADe wafer wordt in vacuüm met een ionenbundel afgeslepen
  2. BDe wafer wordt alleen in chemicaliën gedompeld en opgelost
  3. CDe door een polijstkop vastgehouden wafer wordt tegen een op een draaiende tafel geplakte polijstpad gedrukt en gepolijst terwijl slurry wordt toegevoerd
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De door een polijstkop vastgehouden wafer wordt tegen een op een draaiende tafel geplakte polijstpad gedrukt en gepolijst terwijl slurry wordt toegevoerd

Bij een CMP-apparaat draait een tafel (platen) met een diameter van circa 70 tot 80 cm waarop een polijstpad is geplakt; de door een polijstkop vastgehouden wafer wordt naar beneden gedrukt en de kop draait ook. Slurry wordt toegevoerd en het oppervlak wordt weggenomen door chemische werking en mechanisch polijsten te combineren, terwijl het padoppervlak met een dresser wordt geconditioneerd. Eén apparaat heeft meerdere tafels en een reinigings- en droogsectie, en voert alles uit van gefaseerd polijsten tot het afvoeren van een droge wafer.

Opbouw van een CMP-machine en het planarisatieprincipe Aandrukkracht Polijstkop Wafer (naar beneden) Draaitafel Rotatie Rotatie Slurrytoevoer Padconditioner Polijstpad Planarisatieprincipe Meeste druk op toppen → eerst weg Hele wafer wordt vlak
Opbouw van een CMP-machine en het planarisatieprincipe · Bekijken in het figurenoverzicht
Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Welke reden om bij Cu-bedrading-CMP het polijsten gewoonlijk in meerdere stappen uit te voeren is juist?
  2. Welk verschil tussen harde en zachte pads bij CMP is in het algemeen juist?
  3. Welke toestand is juist voor een siliciumoppervlak dat als laatste met verdund fluorwaterstofzuur is gereinigd?
  4. Wat is het belangrijkste doel van een filter in de leiding waarmee slurry aan het polijstapparaat wordt toegevoerd?
  5. Welk verband tussen deeltjesgrootte en gemakkelijke verwijdering is in het algemeen juist bij het verwijderen van deeltjes van het waferoppervlak door reiniging?