CMP en reiniging

Wat is de belangrijkste oorzaak van het omvallen van patronen bij het reinigen en drogen van patronen met een hoge aspectverhouding?

  1. ADe zwaartekracht op de patronen
  2. BDe oppervlaktespanning bij het drogen van vloeistof die tussen de patronen is achtergebleven
  3. CDe kleur van de reinigingsvloeistof
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. De oppervlaktespanning bij het drogen van vloeistof die tussen de patronen is achtergebleven

Als vloeistof tussen smalle, hoge patronen blijft zitten en droogt, trekt de Laplace-druk door de oppervlaktespanning van het vloeistofoppervlak de patronen naar elkaar toe, waardoor ze omvallen of aan elkaar kleven. De kracht is groter naarmate de tussenruimte kleiner en de aspectverhouding groter is. Als maatregelen worden toegepast: vervanging door IPA met een kleine oppervlaktespanning, het hydrofoob maken van het oppervlak (de contacthoek richting 90° brengen) en drogen met superkritisch CO2, waarbij geen grens tussen vloeistof en gas ontstaat.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Welke reden om bij wolfraam-CMP een oxidatiemiddel zoals waterstofperoxide aan de slurry toe te voegen is juist?
  2. Welke maatregel in het ontwerp tegen het feit dat de polijsthoeveelheid bij CMP afhangt van de patroondichtheid binnen de chip is juist?
  3. Welke richtwaarde voor de grootte van de schuurdeeltjes in CMP-slurry is juist?
  4. Wat is het belangrijkste doel van het verdunnen van chemicaliën of het gebruik van functioneel water in recente reinigingsprocessen?
  5. Wat is het belangrijkste doel van het reinigen van de achterzijde en de rand (bevel) van de wafer?