CMP en reiniging

Waarom is het belangrijk om een wafer direct na CMP nat, zonder hem te laten drogen, naar de reinigingsstap te brengen?

  1. AOm het gewicht van de wafer te behouden
  2. BOm de wafer te koelen
  3. COmdat slurrydeeltjes en chemicaliën die op het oppervlak zijn achtergebleven, bij drogen aankoeken en bij latere reiniging moeilijker te verwijderen zijn
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Omdat slurrydeeltjes en chemicaliën die op het oppervlak zijn achtergebleven, bij drogen aankoeken en bij latere reiniging moeilijker te verwijderen zijn

Op het oppervlak na het polijsten blijven slurrydeeltjes en reactieproducten achter. Als die drogen, ontstaan chemische bindingen tussen deeltjes en oppervlak, waardoor ze sterk vastzitten, moeilijk door reiniging te verwijderen zijn en tot defecten leiden. Ook het koperoppervlak corrodeert tijdens het drogen gemakkelijk. Daarom is een apparaatconfiguratie "dry-in dry-out" standaard, waarbij CMP-apparaat en reinigingssectie zijn geïntegreerd en de wafer nat doorlopend wordt gereinigd en gedroogd.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Welke uitspraak over aandachtspunten bij batchreiniging, waarbij veel wafers in hetzelfde bad met reinigingsvloeistof worden gewassen, is juist?
  2. Welke reiniging, die wordt onderzocht en toegepast om deeltjes te verwijderen zonder fijne patronen te laten omvallen, blaast fijne deeltjes van onder meer koude kooldioxide of argon op het oppervlak?
  3. Wat is het belangrijkste doel om in de CMP-polijstkop de druk waarmee de wafer wordt aangedrukt per concentrische zone te kunnen variëren?
  4. Welke vorm van CMP laat de schuurdeeltjes niet in de slurry maar maakt ze vast in de polijstpad?
  5. Welk probleem is bekend dat gemakkelijk optreedt als na reiniging met SPM (zwavelzuur en waterstofperoxide) onvoldoende wordt gespoeld?