CMP en reiniging

Wat is het belangrijkste doel van het reinigen van de achterzijde en de rand (bevel) van de wafer?

  1. ADe wafer lichter maken
  2. BVoorkomen dat verontreiniging en deeltjes op de achterzijde en rand naar apparatuur, andere wafers en de voorzijde overgaan
  3. CDe wafer laten glanzen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Voorkomen dat verontreiniging en deeltjes op de achterzijde en rand naar apparatuur, andere wafers en de voorzijde overgaan

Verontreiniging aan de achterzijde en rand van de wafer kan via de stage van apparatuur, transportrobots en FOUP's naar andere wafers worden verspreid of losraken en op het oppervlak terechtkomen. Deeltjes aan de achterzijde kunnen ook lokale focusafwijkingen (hotspots) veroorzaken op de stage van het belichtingsapparaat. Vooral films op de rand (bevel) laten gemakkelijk los; de film op het bevel wordt daarom door etsen verwijderd of gereinigd om de verspreiding van verontreiniging te voorkomen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Wat is de belangrijkste reden dat reiniging van wafers belangrijk is in het productieproces van halfgeleiders?
  2. Welke uitspraak over het aantal reinigingsstappen in het hele productieproces van LSI's is juist?
  3. Welke combinatie van soorten verontreiniging op het waferoppervlak die door reiniging moeten worden verwijderd is juist?
  4. Wat is de belangrijkste reden dat in processen zoals multilaag-metallisatie het waferoppervlak met CMP vlak moet worden gemaakt?
  5. Welke beschrijving van de basisopbouw van een CMP-apparaat is juist?