CMP en reiniging
Welk probleem wordt veroorzaakt door metaalverontreiniging zoals ijzer en koper op het waferoppervlak?
- AVerslechtering van eigenschappen en betrouwbaarheid, zoals een kortere levensduur van ladingsdragers en een lagere doorslagspanning van de gateoxidefilm
- BDe wafer wordt lichter
- CDe wafer gaat licht uitzenden
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. Verslechtering van eigenschappen en betrouwbaarheid, zoals een kortere levensduur van ladingsdragers en een lagere doorslagspanning van de gateoxidefilm
Metaalonzuiverheden zoals ijzer en koper vormen in silicium diepe niveaus halverwege de bandgap en werken als recombinatiecentra, waardoor de levensduur van ladingsdragers daalt en de lekstroom van juncties en de witte defecten van beeldsensoren toenemen. Zijn ze in de gateoxidefilm opgenomen, dan verlagen ze de doorslagspanning en betrouwbaarheid. Metaalverontreiniging wordt daarom door reiniging beperkt tot circa 10⁹ tot 10¹⁰ atoms/cm² of minder, en metaalonzuiverheden in chemicaliën en ultrazuiver water worden op ppt-niveau (een biljoenste) beheerd.