CMP en reiniging

Welke reden om bij wolfraam-CMP een oxidatiemiddel zoals waterstofperoxide aan de slurry toe te voegen is juist?

  1. AOm het wolfraamoppervlak om te zetten in een gemakkelijk te polijsten oxide
  2. BOm wolfraam te laten glanzen
  3. COm de slurry te koelen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Om het wolfraamoppervlak om te zetten in een gemakkelijk te polijsten oxide

Wolfraam is een hard metaal en mechanisch polijsten als zodanig is moeilijk. Het oppervlak wordt met een oxidatiemiddel zoals waterstofperoxide of ijzerzouten omgezet in zacht wolfraamoxide, dat door de schuurdeeltjes wordt verwijderd, en dit wordt herhaald om te polijsten. De polijstsnelheid hangt sterk af van de concentratie van het oxidatiemiddel, een voorbeeld dat de rol van het "chemische" deel van CMP duidelijk maakt. Daarnaast zijn maatregelen nodig om oxidatie en corrosie van verzonken delen te onderdrukken.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Welke maatregel in het ontwerp tegen het feit dat de polijsthoeveelheid bij CMP afhangt van de patroondichtheid binnen de chip is juist?
  2. Welke richtwaarde voor de grootte van de schuurdeeltjes in CMP-slurry is juist?
  3. Wat is het belangrijkste doel van het verdunnen van chemicaliën of het gebruik van functioneel water in recente reinigingsprocessen?
  4. Wat is het belangrijkste doel van het reinigen van de achterzijde en de rand (bevel) van de wafer?
  5. Wat is de belangrijkste reden dat reiniging van wafers belangrijk is in het productieproces van halfgeleiders?