CMP en reiniging

Welke uitspraak over "dishing" bij CMP is juist?

  1. AEen verschijnsel waarbij de polijstpad slijt en vlak wordt
  2. BEen verschijnsel waarbij slurrydeeltjes aan de wafer blijven kleven
  3. CEen verschijnsel waarbij het midden van een brede bedradingsstructuur sterker wordt weggepolijst dan de omgeving en schotelvormig inzakt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Een verschijnsel waarbij het midden van een brede bedradingsstructuur sterker wordt weggepolijst dan de omgeving en schotelvormig inzakt

Dishing is het verschijnsel dat bij brede metaalbedrading of pads het midden van het zachte metaal sterker wordt weggenomen dan de omringende isolatiefilm en schotelvormig (dish) inzakt; het wordt groter naarmate de breedte toeneemt. De bedrading wordt dunner en de weerstand neemt toe, of er blijft ongelijkmatigheid in de bovenliggende laag. Het verschijnsel waarbij in een gebied met dichte bedrading ook de isolatiefilm te veel wordt weggenomen is erosie. Het wordt beperkt door in het ontwerp een bovengrens aan de bedradingsbreedte te stellen of brede bedrading met sleuven te verdelen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Wat is het belangrijkste doel van reiniging met verdund fluorwaterstofzuur (DHF)?
  2. Welke uitspraak over de slurry die bij CMP wordt gebruikt is juist?
  3. Wat is het belangrijkste doel van reiniging met een mengsel van zwavelzuur en waterstofperoxide (SPM)?
  4. Wat moet bij reiniging na CMP vooral worden verwijderd?
  5. Welk voordeel van een single-waferreinigingsapparaat dat wafers een voor een behandelt is juist?