Nederlands
Menu

CMP en reiniging

Wat is het belangrijkste doel van reiniging met een mengsel van zwavelzuur en waterstofperoxide (SPM)?

  1. AVerwijderen van organische stoffen zoals resist
  2. BVerwijderen van natuurlijk oxide
  3. CHet afzetten van koper
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Verwijderen van organische stoffen zoals resist

SPM (H2SO4:H2O2, bijvoorbeeld 4:1, circa 120 tot 150 ℃) ontleedt en verwijdert organische stoffen zoals resistresten met de sterke oxiderende werking van peroxymonozwavelzuur (caroszuur), dat bij het mengen ontstaat. Het wordt gebruikt voor reiniging na ashing en voor het verwijderen van resist na ionenimplantatie, is zo reactief dat het ook "piranha-oplossing" wordt genoemd en vereist voorzichtig gebruik. Omdat veel zwavelzuur wordt gebruikt, wordt ook vervanging door bijvoorbeeld ozonwater nagestreefd.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Wat moet bij reiniging na CMP vooral worden verwijderd?
  2. Welk voordeel van een single-waferreinigingsapparaat dat wafers een voor een behandelt is juist?
  3. Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van IPA (isopropylalcohol) bij het drogen van wafers na reiniging?
  4. Welke methode wordt gebruikt om het eindpunt van het polijsten bij CMP te detecteren?
  5. Welke grootheid is volgens de vergelijking van Preston, die de polijstsnelheid bij CMP beschrijft, evenredig met de polijstsnelheid?