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Dépôt (CVD et PVD)

Apprenez les différences entre CVD, PVD et ALD, la pulvérisation cathodique et les avantages de la CVD assistée par plasma avec des QCM.

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Dépôt (CVD et PVD) : points clés

Le dépôt forme sur la plaquette des couches minces d'isolants, de semi-conducteurs ou de métaux. On distingue principalement la CVD, qui dépose les films par réactions chimiques de gaz, et la PVD, qui les dépose par voie physique, comme la pulvérisation cathodique et l'évaporation.

Avec la miniaturisation et le passage à la 3D, l'ALD, qui contrôle l'épaisseur couche atomique par couche atomique et recouvre uniformément les tranchées profondes, prend de l'importance.

Toutes les questions sur Dépôt (CVD et PVD) (50)
  1. Dans quelle catégorie le dépôt par pulvérisation cathodique se classe-t-il ?
  2. Quelle caractéristique de l'ALD (dépôt de couches atomiques) est correcte ?
  3. Quel est le principal avantage du CVD assisté par plasma (PECVD) ?
  4. Quelle description de la couverture de marche (step coverage) en dépôt est correcte ?
  5. Quelle méthode de dépôt est principalement utilisée pour remplir les tranchées des interconnexions Cu ?
  6. Quelle caractéristique du CVD à basse pression (LPCVD) est correcte ?
  7. Quel gaz précurseur est couramment utilisé pour déposer un film de polysilicium par LPCVD ?
  8. Quelle description de l'évaporation sous vide est correcte ?
  9. Quel problème survient facilement lorsque la contrainte interne d'un film déposé est élevée ?
  10. Comment appelle-t-on la méthode consistant à déposer un matériau liquide au centre de la plaquette et à la faire tourner rapidement pour obtenir un film uniforme ?
  11. Quel composé organosilicié liquide est largement utilisé comme précurseur pour le CVD d'oxyde de silicium ?
  12. Quel gaz est utilisé comme précurseur pour le CVD de tungstène ?
  13. Pourquoi le CVD à plasma haute densité (HDP-CVD) a-t-il été utilisé pour remplir de diélectrique les tranchées étroites ?
  14. Quelle utilisation du nitrure de silicium (Si3N4) est correcte ?
  15. En pulvérisation magnétron, quel est le principal objectif des aimants placés derrière la cible ?
  16. Quelle condition améliore la couverture de marche (conformité) en CVD ?
  17. Lors du dépôt de silicium par décomposition thermique du silane, quel film obtient-on à basse température de dépôt ?
  18. Quel exemple de matériau typiquement déposé par ALD est correct ?
  19. Quel est le principal objectif d'une méthode de pulvérisation qui ionise les atomes pulvérisés et les attire verticalement par une polarisation appliquée à la plaquette ?
  20. Quel mécanisme maintient la plaquette sur son support par force électrostatique dans les équipements de dépôt et de gravure ?
  21. Quelle combinaison de gaz précurseurs est utilisée pour déposer du nitrure de silicium (Si3N4) par CVD thermique ?
  22. Comment appelle-t-on la méthode consistant à pulvériser une cible de titane dans un gaz contenant de l'azote pour former un film de nitrure de titane (TiN) ?
  23. Quel est l'avantage de l'ALD assistée par plasma (PEALD) ?
  24. Dans un équipement CVD, quelle pièce distribue uniformément le gaz précurseur au-dessus de la plaquette à travers de nombreux petits trous ?
  25. Quelle méthode de dépôt remplit depuis le fond des tranchées très étroites et profondes avec un film fluide, puis le solidifie ?
  26. Que fait-on généralement pour augmenter la vitesse de dépôt en pulvérisation ?
  27. À matériau égal, en quoi un film de CVD thermique à haute température est-il généralement supérieur à un film PECVD ?
  28. Quel est l'ordre de grandeur de l'épaisseur déposée par cycle d'ALD ?
  29. Quel est l'avantage de l'évaporation sous vide avec chauffage du matériau par faisceau d'électrons ?
  30. Quelle technique exploite les différences entre matériaux de surface pour faire croître un film uniquement à des endroits déterminés ?
  31. Quel est l'ordre de grandeur le plus approprié de l'épaisseur des films minces utilisés en fabrication de semi-conducteurs ?
  32. Quelle est l'organisation de base correcte du procédé de fabrication d'un LSI ?
  33. Quelle est la principale raison de réaliser de nombreux dépôts dans des équipements sous vide ?
  34. Quelle méthode de dépôt a principalement été utilisée pour former les films des interconnexions en aluminium ?
  35. Quelle est la signification correcte du « rendement de pulvérisation » ?
  36. Quelle caractéristique du nitrure de silicium déposé par PECVD est correcte ?
  37. Lors du remplissage d'une tranchée étroite, quel problème survient facilement lorsque le film s'épaissit près de l'entrée (surplomb) ?
  38. Dans un équipement de pulvérisation, quel est l'objectif d'une plaque percée de nombreux trous (collimateur) placée entre la cible et la plaquette ?
  39. En PVD (pulvérisation, évaporation), quelle est la principale raison de la difficulté à déposer sur les flancs et au fond des tranchées profondes ?
  40. Comment appelle-t-on le fait de faire circuler simultanément un gaz contenant une impureté comme le phosphore pendant le dépôt LPCVD de polysilicium, afin d'obtenir un film conducteur ?
  41. Quelle est la principale raison de déposer un film mince comme le TiN (nitrure de titane) avant de remplir les trous de contact par CVD de tungstène ?
  42. Quel est le principal objectif de la « densification », recuit à haute température d'un oxyde déposé par exemple par CVD basse température ?
  43. En ALD, comment appelle-t-on la plage de températures dans laquelle l'épaisseur par cycle est constante grâce aux réactions de surface autolimitées ?
  44. Quel est l'avantage de la pulvérisation par rapport à l'évaporation sous vide ?
  45. Parmi les types d'équipements CVD, lequel ne chauffe que le support de la plaquette en maintenant les parois du réacteur froides ?
  46. Quel exemple de combinaison de précurseurs utilisée pour déposer par ALD un diélectrique de grille HfO2 est correct ?
  47. Quel modèle organise, en fonction de la température et de la pression de gaz, la tendance des films métalliques pulvérisés à basse température de dépôt à former des grains colonnaires et une structure poreuse ?
  48. En CVD, comment appelle-t-on le phénomène selon lequel une plus grande surface de plaquettes ou de motifs à recouvrir consomme davantage de précurseur et réduit la vitesse de dépôt ?
  49. En pulvérisation réactive, comment appelle-t-on le phénomène selon lequel un débit excessif de gaz réactif recouvre la surface de la cible d'un composé et fait chuter brusquement la vitesse de dépôt ?
  50. Quelle méthode permet d'ajuster la contrainte d'un nitrure de silicium PECVD de la compression à la traction ?

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