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Dépôt (CVD et PVD)

Quel gaz précurseur est couramment utilisé pour déposer un film de polysilicium par LPCVD ?

  1. AArgon
  2. BSilane (SiH4)
  3. CDioxyde de carbone
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Réponse : B. Silane (SiH4)

Le polysilicium est déposé par décomposition thermique du silane vers 600 à 650 ℃ (SiH4 → Si + 2H2). La taille des grains dépend de la température de dépôt ; en dessous d'environ 580 ℃, on obtient du silicium amorphe. Il est utilisé pour les électrodes de grille (avant le High-k), les résistances, les électrodes de DRAM et de mémoire flash et les structures de MEMS ; des impuretés sont introduites pendant ou après le dépôt pour réduire sa résistance.

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