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Dépôt (CVD et PVD)

Quelle caractéristique du nitrure de silicium déposé par PECVD est correcte ?

  1. AIl contient relativement beaucoup d'hydrogène et tend à être moins dense qu'un film de CVD thermique
  2. BIl a une composition parfaitement stœchiométrique (Si3N4) sans hydrogène
  3. CIl conduit l'électricité comme un métal
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Réponse : A. Il contient relativement beaucoup d'hydrogène et tend à être moins dense qu'un film de CVD thermique

Le nitrure PECVD, obtenu en faisant réagir silane et ammoniac à basse température, vers 300 à 400 ℃, contient environ 10 à 30 % d'hydrogène sous forme de liaisons Si-H et N-H, et sa composition s'écarte vers SiNx. Il est donc moins dense qu'un film de CVD thermique et tend à se graver plus vite. Néanmoins, peu perméable à l'humidité et au sodium et déposable à basse température, il sert de film de protection de la couche supérieure de la puce (passivation) et de barrière de diffusion des interconnexions en cuivre.

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