Quelle méthode de dépôt est principalement utilisée pour remplir les tranchées des interconnexions Cu ?

Réponse : B. Dépôt électrolytique

Dans le procédé damascène, une barrière (Ta/TaN, etc.) et une couche d'amorçage Cu de quelques nm à quelques dizaines de nm sont déposées par pulvérisation dans les tranchées, puis le Cu est déposé par électrolyse. Trois additifs, suppresseur, accélérateur et niveleur, sont ajoutés au bain pour faire croître le Cu préférentiellement depuis le fond de la tranchée (« remplissage bottom-up »), sans cavité (void). Le dépôt électrolytique produit rapidement et à faible coût des films épais à température ambiante et à pression atmosphérique ; c'est la méthode dominante pour les interconnexions en cuivre.