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Dépôt (CVD et PVD)

Lors du dépôt de silicium par décomposition thermique du silane, quel film obtient-on à basse température de dépôt ?

  1. ASilicium monocristallin
  2. BSilicium amorphe
  3. CDioxyde de silicium
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Réponse : B. Silicium amorphe

Le silicium obtenu par décomposition thermique du silane est amorphe en dessous d'environ 580 ℃ et polycristallin (polysilicium) au-dessus. Un dépôt amorphe suivi d'un long recuit vers 600 ℃ fait croître des cristaux à partir de peu de germes, d'où des grains plus gros (et une mobilité plus élevée) que pour un film déposé directement. Pour les transistors en couches minces (TFT) des écrans à cristaux liquides, on utilise aussi la cristallisation par laser.

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