Dépôt (CVD et PVD)
Pourquoi le CVD à plasma haute densité (HDP-CVD) a-t-il été utilisé pour remplir de diélectrique les tranchées étroites ?
- AParce qu'il érode simultanément par pulvérisation ionique le film à l'ouverture, ce qui limite les cavités
- BParce que sa température de dépôt dépasse 1000 ℃
- CParce qu'il ne dépose que des films métalliques
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Réponse : A. Parce qu'il érode simultanément par pulvérisation ionique le film à l'ouverture, ce qui limite les cavités
Avec un CVD ordinaire, le remplissage d'une tranchée étroite épaissit le film aux angles de l'ouverture, qui se ferme en premier et laisse une cavité (void) à l'intérieur. Le HDP-CVD dépose avec un plasma de densité supérieure à 10¹¹ cm⁻³ tout en érodant obliquement le film aux angles de l'ouverture avec des ions, par exemple d'argon, attirés par la polarisation du substrat, ce qui permet un remplissage depuis le fond. Il a servi au remplissage des STI et des espaces entre interconnexions des générations 0,25 µm à 65 nm ; pour les tranchées plus étroites, on utilise notamment le CVD fluide.