Dépôt (CVD et PVD)

Quel est l'avantage de la pulvérisation par rapport à l'évaporation sous vide ?

  1. AL'énergie des atomes déposés est faible
  2. BLa vitesse de dépôt est toujours plus élevée
  3. CLe dépôt conserve relativement bien la composition des cibles d'alliage ou de composé, avec une bonne adhérence du film
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : C. Le dépôt conserve relativement bien la composition des cibles d'alliage ou de composé, avec une bonne adhérence du film

En évaporation, les composants d'un alliage ont des pressions de vapeur différentes : les plus volatils partent en premier et la composition du film dérive. La pulvérisation éjecte physiquement les atomes de la surface de la cible ; une fois la composition de surface stabilisée, le film a presque la même composition que la cible. De plus, l'énergie des atomes incidents, de quelques eV à quelques dizaines d'eV, est supérieure à celle de l'évaporation (environ 0,1 eV), d'où un film dense, une bonne adhérence et un dépôt uniforme sur de grandes surfaces.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Dépôt (CVD et PVD)

  1. Parmi les types d'équipements CVD, lequel ne chauffe que le support de la plaquette en maintenant les parois du réacteur froides ?
  2. Quel exemple de combinaison de précurseurs utilisée pour déposer par ALD un diélectrique de grille HfO2 est correct ?
  3. Quel modèle organise, en fonction de la température et de la pression de gaz, la tendance des films métalliques pulvérisés à basse température de dépôt à former des grains colonnaires et une structure poreuse ?
  4. En CVD, comment appelle-t-on le phénomène selon lequel une plus grande surface de plaquettes ou de motifs à recouvrir consomme davantage de précurseur et réduit la vitesse de dépôt ?
  5. En pulvérisation réactive, comment appelle-t-on le phénomène selon lequel un débit excessif de gaz réactif recouvre la surface de la cible d'un composé et fait chuter brusquement la vitesse de dépôt ?

Comparatifs sur ce thème