Dépôt (CVD et PVD)
Quelle méthode permet d'ajuster la contrainte d'un nitrure de silicium PECVD de la compression à la traction ?
- ARincer le film à l'eau après dépôt
- BModifier notamment le rapport des puissances RF haute et basse fréquence pour ajuster l'intensité du bombardement ionique du film
- CChanger le diamètre de la plaquette
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Réponse : B. Modifier notamment le rapport des puissances RF haute et basse fréquence pour ajuster l'intensité du bombardement ionique du film
En PECVD, l'application d'une puissance RF basse fréquence (quelques centaines de kHz) permet aux ions lourds de suivre le champ et de bombarder fortement le film, qui se densifie et tend vers la compression. En modifiant le rapport des puissances haute fréquence (13,56 MHz) et basse fréquence, la composition des gaz et la température, la contrainte du nitrure peut être ajustée d'environ −3 GPa (compression) à +1,5 GPa (traction). Cette propriété est exploitée dans les stress liners qui déforment les transistors.