Dépôt (CVD et PVD)
Quelle condition améliore la couverture de marche (conformité) en CVD ?
- AUn régime limité par la réaction de surface (température et pression relativement basses, etc.)
- BUn régime limité par l'apport de gaz précurseur
- CUne injection rapide du gaz précurseur dans une seule direction
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Réponse : A. Un régime limité par la réaction de surface (température et pression relativement basses, etc.)
En régime limité par la réaction de surface, le gaz précurseur atteint suffisamment le fond des tranchées avant de réagir lentement en surface : les écarts de vitesse de dépôt selon l'endroit sont faibles et le film se dépose uniformément sur les flancs et au fond des marches. Une température relativement basse ralentit la réaction et une basse pression accélère la diffusion du gaz, ce qui rapproche de ce régime. À l'inverse, en régime limité par l'apport, le film s'épaissit aux ouvertures, faciles d'accès pour le gaz, et l'entrée se bouche facilement.