Quel est le principal avantage du CVD assisté par plasma (PECVD) ?

Réponse : C. Il permet de déposer à plus basse température que le CVD thermique

Le PECVD décompose et active les gaz précurseurs grâce à l'énergie des électrons du plasma, ce qui permet de déposer vers 300 à 400 ℃, contre environ 600 à 800 ℃ pour le CVD thermique, qui ne fait réagir que par la chaleur. Il sert au dépôt des diélectriques intercouches et des films de protection dans les étapes où une haute température est exclue, par exemple après la formation des interconnexions en aluminium ou en cuivre. En revanche, l'hydrogène issu des précurseurs s'incorpore facilement au film, dont la qualité tend à être inférieure à celle du CVD thermique.