Dépôt (CVD et PVD)
Quelle caractéristique du CVD à basse pression (LPCVD) est correcte ?
- ARéalisé sous pression réduite, il offre une bonne uniformité d'épaisseur et traite de nombreuses plaquettes à la fois
- BRéalisé à pression atmosphérique, son équipement est le plus simple
- CUtilisant un plasma, il dépose à température ambiante
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Réponse : A. Réalisé sous pression réduite, il offre une bonne uniformité d'épaisseur et traite de nombreuses plaquettes à la fois
Le LPCVD est un CVD thermique réalisé sous pression réduite, de quelques dizaines à quelques centaines de Pa. La diffusion des molécules de gaz y est rapide et la vitesse de dépôt est déterminée par la réaction de surface (régime limité par la réaction de surface) : on obtient un film uniforme même avec plus de 100 plaquettes dressées à quelques mm d'intervalle. Sa couverture de marche est également bonne ; il sert au dépôt du polysilicium, du nitrure de silicium et de l'oxyde TEOS. Sa température, d'environ 600 à 800 ℃, est élevée et exclut son emploi après la formation des interconnexions.