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Dépôt (CVD et PVD)

Quelle combinaison de gaz précurseurs est utilisée pour déposer du nitrure de silicium (Si3N4) par CVD thermique ?

  1. ADichlorosilane et ammoniac
  2. BSilane et oxygène
  3. CHexafluorure de tungstène et hydrogène
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Réponse : A. Dichlorosilane et ammoniac

Le nitrure de silicium LPCVD est généralement obtenu en faisant réagir du dichlorosilane (SiH2Cl2) et de l'ammoniac (NH3) vers 700 à 800 ℃ (3SiH2Cl2 + 4NH3 → Si3N4 + 6HCl + 6H2) ; on obtient un film dense de composition proche de la stœchiométrie. L'ammoniac est introduit en excès pour maintenir la composition. Lorsqu'une basse température est requise, on utilise le PECVD ou l'ALD. Le silane et l'oxygène servent au dépôt d'oxyde, et le WF6 et l'hydrogène à celui du tungstène.

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