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Dépôt (CVD et PVD)

Quel gaz est utilisé comme précurseur pour le CVD de tungstène ?

  1. ATEOS
  2. BSilane (SiH4)
  3. CHexafluorure de tungstène (WF6)
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Réponse : C. Hexafluorure de tungstène (WF6)

Le CVD de tungstène réduit le WF6 par l'hydrogène (WF6 + 3H2 → W + 6HF) pour déposer un film de tungstène, la nucléation initiale utilisant notamment le silane. Grâce à sa bonne couverture de marche, il remplit des trous de contact de quelques dizaines de nm de diamètre ; son point de fusion élevé le rend en outre résistant à la dégradation par le courant. Il sert aux plots de contact reliant transistors et interconnexions et à la formation des lignes de mot de la 3D NAND.

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