Français
Menu

Dépôt (CVD et PVD)

Quel exemple de matériau typiquement déposé par ALD est correct ?

  1. AInterconnexions épaisses en cuivre
  2. BRésine photosensible
  3. COxyde d'hafnium des films High-k, nitrure de titane, etc.
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : C. Oxyde d'hafnium des films High-k, nitrure de titane, etc.

L'ALD contrôle l'épaisseur couche atomique par couche atomique et offre une excellente couverture de marche ; elle est utilisée lorsque des films minces et uniformes sont nécessaires : oxyde d'hafnium des diélectriques de grille High-k, nitrure de titane des grilles métalliques et des barrières, oxyde de zirconium des condensateurs de DRAM, films entourant la couche de piégeage de charge de la 3D NAND, espaceurs du multi-patterning, etc. Dans la logique et la mémoire avancées, la part de l'ALD dans les étapes de dépôt ne cesse de croître.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Dépôt (CVD et PVD)

  1. Quel est le principal objectif d'une méthode de pulvérisation qui ionise les atomes pulvérisés et les attire verticalement par une polarisation appliquée à la plaquette ?
  2. Quel mécanisme maintient la plaquette sur son support par force électrostatique dans les équipements de dépôt et de gravure ?
  3. Quelle combinaison de gaz précurseurs est utilisée pour déposer du nitrure de silicium (Si3N4) par CVD thermique ?
  4. Comment appelle-t-on la méthode consistant à pulvériser une cible de titane dans un gaz contenant de l'azote pour former un film de nitrure de titane (TiN) ?
  5. Quel est l'avantage de l'ALD assistée par plasma (PEALD) ?

Comparatifs sur ce thème