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Dépôt (CVD et PVD)

Quel exemple de combinaison de précurseurs utilisée pour déposer par ALD un diélectrique de grille HfO2 est correct ?

  1. ASilane et ammoniac
  2. BHexafluorure de tungstène et hydrogène
  3. CTétrachlorure d'hafnium (HfCl4) ou composé organique d'hafnium, et un oxydant comme l'eau ou l'ozone
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Réponse : C. Tétrachlorure d'hafnium (HfCl4) ou composé organique d'hafnium, et un oxydant comme l'eau ou l'ozone

L'ALD de HfO2 alterne l'apport d'un précurseur d'hafnium comme HfCl4 ou TEMAHf (composé organique d'hafnium) et d'un oxydant comme H2O ou O3, et dépose couche par couche par réaction de surface. HfCl4 laisse facilement du chlore dans le film mais est thermiquement stable et s'utilise vers 300 ℃ ; TEMAHf réagit facilement à basse température mais laisse plus facilement du carbone. La température de dépôt et les impuretés varient selon le précurseur et influent sur la tension de seuil et la fiabilité de la grille.

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