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Dépôt (CVD et PVD)

Comment appelle-t-on le fait de faire circuler simultanément un gaz contenant une impureté comme le phosphore pendant le dépôt LPCVD de polysilicium, afin d'obtenir un film conducteur ?

  1. ADopage in situ
  2. BImplantation ionique
  3. COxydation thermique
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Réponse : A. Dopage in situ

La méthode qui fait circuler un gaz dopant (phosphine, diborane, etc.) pendant le dépôt pour incorporer l'impureté en même temps que le film se forme est appelée dopage in situ. Il n'est pas nécessaire d'introduire les impuretés ultérieurement par implantation ou diffusion, et l'on dope facilement de façon uniforme des films situés dans des tranchées ou trous profonds, comme les électrodes de condensateur des DRAM. Toutefois, le gaz dopant modifie la vitesse de dépôt et l'uniformité, ce qui exige un ajustement des conditions.

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