Quelle méthode de dépôt remplit depuis le fond des tranchées très étroites et profondes avec un film fluide, puis le solidifie ?

Réponse : B. CVD fluide (FCVD) et diélectriques déposés par enduction (SOD)

Le CVD fluide fait réagir à basse température (100 ℃ ou moins) des précurseurs contenant silicium et azote pour déposer un film s'écoulant comme un liquide, qui remplit la tranchée depuis le fond ; un recuit ultérieur sous ozone ou vapeur d'eau le solidifie et le convertit en oxyde. Les diélectriques déposés par enduction (SOD) exploitent aussi la fluidité du liquide. On les utilise pour remplir les tranchées où un CVD ordinaire laisserait des cavités, comme les STI d'une dizaine de nm de largeur à fort rapport d'aspect ou les espaces entre ailettes des FinFET.