Français
Menu

Dépôt (CVD et PVD)

Quel composé organosilicié liquide est largement utilisé comme précurseur pour le CVD d'oxyde de silicium ?

  1. AHexafluorure de tungstène (WF6)
  2. BTEOS (tétraéthoxysilane)
  3. CTriméthylgallium
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. TEOS (tétraéthoxysilane)

Le TEOS (Si(OC2H5)4) est un composé organosilicié liquide à température ambiante, vaporisé pour servir de précurseur CVD. Plus sûr à manipuler que le silane, pyrophorique, il se décompose facilement en surface avec une bonne conformité, ce qui donne des oxydes à bonne couverture de marche. Les procédés sont variés : CVD thermique (environ 700 ℃), PECVD (environ 400 ℃), CVD à pression atmosphérique associé à l'ozone, etc. ; il est largement utilisé pour les diélectriques intercouches et les espaceurs.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Dépôt (CVD et PVD)

  1. Quel gaz est utilisé comme précurseur pour le CVD de tungstène ?
  2. Pourquoi le CVD à plasma haute densité (HDP-CVD) a-t-il été utilisé pour remplir de diélectrique les tranchées étroites ?
  3. Quelle utilisation du nitrure de silicium (Si3N4) est correcte ?
  4. En pulvérisation magnétron, quel est le principal objectif des aimants placés derrière la cible ?
  5. Quelle condition améliore la couverture de marche (conformité) en CVD ?

Comparatifs sur ce thème