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Dépôt (CVD et PVD)

En PVD (pulvérisation, évaporation), quelle est la principale raison de la difficulté à déposer sur les flancs et au fond des tranchées profondes ?

  1. AEn PVD, les atomes se déplacent de façon à éviter les tranchées
  2. BLes atomes arrivant presque en ligne droite atteignent difficilement les zones non visibles depuis l'entrée de la tranchée
  3. CEn PVD, le film devient liquide
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Réponse : B. Les atomes arrivant presque en ligne droite atteignent difficilement les zones non visibles depuis l'entrée de la tranchée

En PVD, les atomes issus de la cible ou de la source d'évaporation se déplacent presque en ligne droite, se fixent au substrat et migrent très peu en surface. Le film se dépose donc facilement sur le dessus et à l'entrée des tranchées, mais atteint difficilement les flancs et le fond, non visibles depuis l'entrée (effet d'ombrage). Le CVD et l'ALD, dont le gaz précurseur pénètre jusqu'au fond et dont le dépôt résulte d'une réaction chimique de surface, offrent une meilleure couverture de marche.

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