Gravure
Apprenez les bases de la gravure (gravure anisotrope, sélectivité, différences entre gravure humide et sèche) avec des QCM.
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Gravure : points clés
La gravure retire les parties d'un film non protégées par un masque, comme une résine, afin de former des motifs. On distingue la gravure humide, par solutions chimiques, et la gravure sèche, notamment par plasma.
Pour usiner fidèlement des motifs fins, l'anisotropie (graver uniquement verticalement) et la sélectivité (graver uniquement le film visé) sont importantes. La gravure ionique réactive (RIE) en est une technique représentative.
Toutes les questions sur Gravure (50)
- Quelle est la définition de la gravure anisotrope ?
- Quelle est la définition de la « sélectivité » en gravure ?
- Quelle est la caractéristique générale de la gravure humide ?
- Quelle est la définition de la gravure ionique réactive (RIE) ?
- Quelle méthode est couramment utilisée pour la détection de fin d'attaque en gravure sèche ?
- Qu'est-ce que le rapport d'aspect d'un trou ou d'une tranchée formé par gravure ?
- Comment appelle-t-on le phénomène par lequel la vitesse de gravure diminue lorsque les motifs deviennent plus étroits et plus profonds ?
- Quels gaz sont couramment utilisés pour la gravure sèche des grilles en polysilicium ?
- Comment appelle-t-on l'étape qui retire la résine photosensible en l'incinérant au moyen d'un plasma d'oxygène ou analogue ?
- Quelle est la caractéristique de la gravure par couches atomiques (ALE) ?
- Quel est l'un des mécanismes permettant d'obtenir l'anisotropie en gravure sèche ?
- Quelle solution est couramment utilisée pour la gravure humide du nitrure de silicium ?
- Comment appelle-t-on le phénomène par lequel, pendant la gravure plasma, un conducteur faisant antenne, comme une longue interconnexion, collecte des charges et endommage l'oxyde de grille auquel il est relié ?
- Quelle est la caractéristique de la gravure humide du silicium par une solution aqueuse d'hydroxyde de potassium (KOH) ?
- Quelle est la caractéristique des équipements de gravure à plasma à couplage inductif (ICP) ?
- Quel indicateur exprime la faiblesse de la dispersion de la vitesse de gravure sur la plaquette ?
- Comment appelle-t-on le fait de poursuivre la gravure pendant un temps donné après la détection de fin d'attaque, afin de retirer le film à coup sûr sur toute la plaquette ?
- Comment appelle-t-on le masque en nitrure, en carbone ou analogue utilisé lorsque la résine seule ne tient pas comme masque, par exemple pour la gravure de trous profonds ?
- Quelle est la caractéristique de la gravure en aval (downstream), qui n'apporte à la plaquette que les radicaux produits par le plasma ?
- Quel est un exemple d'anomalie de profil observée en gravure à fort rapport d'aspect ?
- Si la vitesse de gravure de l'oxyde est de 100 nm/min et la vitesse d'érosion du masque de 20 nm/min, quelle est la sélectivité par rapport au masque ?
- Quelle solution utilisée pour la gravure humide du SiO2 est de l'acide fluorhydrique tamponné par du fluorure d'ammonium ?
- Pourquoi la gravure avec plaquette refroidie à température cryogénique suscite-t-elle l'intérêt pour l'usinage à fort rapport d'aspect ?
- L'état des parois internes d'un équipement de gravure modifiant les résultats, comment appelle-t-on le traitement de plaquettes factices avant les produits pour stabiliser cet état ?
- Quel est l'avantage du plasma pulsé, qui grave en alternant l'activation et la coupure de la puissance haute fréquence ?
- Quels gaz sont couramment utilisés pour la gravure sèche du GaN ?
- Pourquoi est-il difficile d'usiner directement les interconnexions en Cu par gravure sèche ?
- Comment appelle-t-on, en gravure de grille, le phénomène par lequel le flanc du motif est creusé latéralement près de l'interface avec l'isolant sous-jacent ?
- Pourquoi retire-t-on les produits de réaction (polymères) restés sur les flancs des motifs après gravure sèche ?
- Que faut-il pour graver un oxyde en s'arrêtant sur le nitrure sous-jacent ?
- Quel est le rôle de la gravure dans la fabrication des semi-conducteurs ?
- Quelle est la définition du « plasma » utilisé en gravure sèche ?
- Avec une vitesse de gravure de 100 nm/min, quelle épaisseur de film est gravée en 3 minutes ?
- En gravure humide, comment la vitesse de gravure évolue-t-elle généralement lorsque la température de la solution augmente ?
- Comment appelle-t-on, dans les équipements à plasma notamment à couplage capacitif, le phénomène par lequel l'électrode côté plaquette prend spontanément un potentiel continu négatif qui accélère les ions vers la plaquette ?
- Comment appelle-t-on la méthode de masquage qui empile, de bas en haut, un film organique (film de carbone), un film intermédiaire contenant du silicium et la résine, afin d'usiner en profondeur des motifs fins ?
- Quel gaz permet de graver le silicium de façon isotrope sans plasma, par exemple pour le retrait de couches sacrificielles en MEMS ?
- Quelle technique amincit progressivement par plasma les motifs de résine réalisés par exposition, afin d'obtenir des traits plus fins que la limite de l'exposition ?
- Quelle disposition est couramment adoptée en gravure d'électrode de grille pour préserver le mince diélectrique de grille sous-jacent ?
- Lorsqu'un film de 1 µm d'épaisseur est gravé par gravure humide parfaitement isotrope jusqu'à atteindre exactement la sous-couche, quel est l'ordre de grandeur de la gravure latérale depuis le bord du masque (sous-gravure) ?
- Quel indicateur exprime l'inclinaison des flancs d'un trou ou d'une tranchée gravé par rapport à la verticale ?
- Quel est généralement l'effet de l'ajout d'un peu d'oxygène à une gravure par gaz fluorés ?
- Dans un plasma de gravure usuel, quelle est la relation entre le nombre d'ions et le nombre de radicaux ?
- Quelle méthode mesure la température et la densité électroniques d'un plasma à partir du courant obtenu en faisant varier la tension appliquée à une fine électrode insérée dans le plasma ?
- Comment appelle-t-on l'anomalie de profil en gravure sèche par laquelle le fond d'une tranchée est creusé plus profondément le long des flancs qu'au centre, formant une fine rainure ?
- En exposant le silicium simultanément à du XeF2 gazeux et à un faisceau d'ions argon, la gravure progresse beaucoup plus vite que la somme des deux traitements séparés. Quelle propriété de la gravure sèche cela démontre-t-il ?
- Quel phénomène, en gravure plasma de motifs à fort rapport d'aspect, correspond au blocage des électrons par les flancs, à l'accumulation de charges négatives en haut des motifs et à la déviation des ions positifs au fond, provoquant anomalies de profil et dommages ?
- Quelle méthode de gravure au stade de la recherche neutralise les ions produits par un plasma avant de les diriger sur la plaquette, afin de limiter les dommages dus aux charges et aux ultraviolets ?
- Pourquoi utilise-t-on principalement des revêtements d'oxyde d'yttrium (Y2O3) ou analogues sur les parois internes et les pièces des équipements de gravure plasma ?
- Quel est le rôle principal de l'anneau de focalisation entourant la périphérie de la plaquette dans un équipement de gravure plasma ?