Dépôt (CVD et PVD)
Quelle caractéristique de l'ALD (dépôt de couches atomiques) est correcte ?
- AElle dépose rapidement un film de plusieurs µm en un seul traitement
- BElle répète des réactions de surface autolimitées des précurseurs et contrôle l'épaisseur à l'échelle de la couche atomique
- CC'est une technique d'impression ne nécessitant pas de vide
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Réponse : B. Elle répète des réactions de surface autolimitées des précurseurs et contrôle l'épaisseur à l'échelle de la couche atomique
L'ALD répète un cycle : introduction d'un gaz précurseur qui s'adsorbe en une seule couche à la surface, purge de l'excédent, puis introduction d'un gaz réactif qui réagit avec la couche. La réaction s'arrête lorsque les sites réactifs de surface sont saturés (autolimitation) : l'épaisseur est contrôlée avec précision, à environ 0,1 nm par cycle, et le dépôt est uniforme même au fond de tranchées de rapport d'aspect de plusieurs dizaines. En contrepartie, la vitesse de dépôt est faible.