Dépôt (CVD et PVD)

En CVD, comment appelle-t-on le phénomène selon lequel une plus grande surface de plaquettes ou de motifs à recouvrir consomme davantage de précurseur et réduit la vitesse de dépôt ?

  1. AÉlectromigration
  2. BEffet de charge (loading)
  3. CCanalisation
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. Effet de charge (loading)

En CVD, une grande surface réactive accroît la consommation de gaz précurseur, et la vitesse de dépôt diminue là où l'apport ne suit pas. Ce phénomène, où la vitesse de dépôt dépend du nombre de plaquettes ou de la surface de motifs exposée (densité de motifs), est l'effet de charge : dans un four à lots, l'épaisseur diffère entre l'entrée et le fond du four, et dans une puce, entre zones denses et zones clairsemées. On le corrige par la répartition des débits de gaz et des températures.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Dépôt (CVD et PVD)

  1. En pulvérisation réactive, comment appelle-t-on le phénomène selon lequel un débit excessif de gaz réactif recouvre la surface de la cible d'un composé et fait chuter brusquement la vitesse de dépôt ?
  2. Quelle méthode permet d'ajuster la contrainte d'un nitrure de silicium PECVD de la compression à la traction ?
  3. Dans quelle catégorie le dépôt par pulvérisation cathodique se classe-t-il ?
  4. Quelle caractéristique de l'ALD (dépôt de couches atomiques) est correcte ?
  5. Quel est le principal avantage du CVD assisté par plasma (PECVD) ?

Comparatifs sur ce thème