以蝕刻或灰化加工Low-k膜時應注意的問題，下列何者正確？

正確答案：B. 膜受到電漿損傷，例如膜中的碳脫離，導致介電常數上升

SiOC系的Low-k膜因含有Si-CH3（甲基）而降低介電常數，但一旦暴露於氧電漿等，甲基會脫離而變成Si-OH，容易吸濕，介電常數可能從3.0上升到4以上。多孔質膜的損傷則會經由孔洞擴散到內部。因此需要使用氫系等損傷較小的灰化條件、以矽烷化劑修復損傷的處理，以及加工後的脫水處理。