Cu導線設置Ta或TaN等阻障金屬，主要目的為下列何者？

正確答案：B. 防止Cu擴散進絕緣膜或矽中

Cu容易擴散進絕緣膜或矽中，進入矽中會形成深能階，導致電晶體漏電與特性劣化，在絕緣膜中則會使導線間的絕緣變差。因此以Ta/TaN等阻障金屬（數nm）包覆Cu導線的側面與底部，上表面則以介電質的覆蓋膜覆蓋，以防止擴散。阻障金屬還具有提高與絕緣膜的附著性、使Cu的結晶方向一致的作用。