什麼是阻障金屬

設置在銅導線周圍，防止銅擴散進絕緣膜或矽中的金屬薄膜。如Ta或TaN等。

日文名稱: バリアメタル

「阻障金屬」出現在3領域的5道練習題中（配線製程, 薄膜沉積（CVD與PVD）, CMP與清洗等）。

這個名詞所屬的領域: 配線製程

練習阻障金屬的題目

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正確答案：B. 防止Cu擴散進絕緣膜或矽中

Cu容易擴散進絕緣膜或矽中，進入矽中會形成深能階，導致電晶體漏電與特性劣化，在絕緣膜中則會使導線間的絕緣變差。因此以Ta/TaN等阻障金屬（數nm）包覆Cu導線的側面與底部，上表面則以介電質的覆蓋膜覆蓋，以防止擴散。阻障金屬還具有提高與絕緣膜的附著性、使Cu的結晶方向一致的作用。

因此以Ta/TaN等阻障金屬（數nm）包覆Cu導線的側面與底部，上表面則以介電質的覆蓋膜覆蓋，以防止擴散。
Cu導線設置Ta或TaN等阻障金屬，主要目的為下列何者？
用於金屬配線、阻障金屬（Ta、TiN等）、Cu的晶種層、電極等的成膜。
濺鍍（sputtering）所進行的薄膜沉積，屬於下列何者？
在Cu配線中，要依序研磨溝槽外的厚Cu（數百nm～1 µm）、其下數nm的阻障金屬（Ta/TaN等），以及再下方的絕緣膜。
在Cu配線的CMP中，一般將研磨分成數個階段進行的原因，下列何者正確？
導孔變細時，剖面積變小使電阻上升，而且為防止Cu擴散所需的高電阻阻障金屬（厚度2～3 nm）無法做得太薄，因此在直徑20 nm的導孔中，阻障層占了剖面相當大的部分。
在微縮持續推進的多層導線中，導孔電阻成為問題的主要原因，下列何者正確？
由於不再需要另外沉積較厚的阻障金屬，可在細導線或導孔中增加低電阻Cu的比例，這也是日本研究團隊主導開發的技術之一。
沉積加入少量錳等的Cu合金，藉由熱處理使其在與絕緣膜的界面自然形成薄阻障層的技術，為下列何者？