配線製程
背面供電的製造中,將正面已做好電晶體與配線的晶圓貼合到支撐晶圓上,從背面薄化原基板後再形成背面電源配線。此製程中特別困難的是下列何者?
- A正面訊號配線的層數增加,配線擁擠惡化
- B貼合與薄化使晶圓產生畸變,難以把背面圖案準確疊對到正面的電晶體上
- C電源到達電晶體所經過的配線變長,IR壓降增加
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正確答案:B. 貼合與薄化使晶圓產生畸變,難以把背面圖案準確疊對到正面的電晶體上
背面供電是把晶圓翻面貼合,薄化到數百nm~數µm後,從背面在電晶體旁邊連接電源。貼合製程會使晶圓產生不均勻的畸變,因此背面曝光時難以準確對準正面的電晶體與接點。整體的伸縮或旋轉等簡單偏差可由曝光機修正,但各處不同的複雜畸變難以修正,因此貼合方法與量測持續改善中。電源配線移到背面後,正面的配線擁擠與IR壓降反而會改善。
- A. 正面的電源配線消失,配線擁擠反而緩解。
- B. 正確。貼合造成畸變下的疊對是課題。
- C. 電源路徑變短變粗,IR壓降會減少。
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