形成於晶片最上層，保護內部電路免受水氣、汙染與機械刮傷的薄膜。使用氮化矽或聚醯亞胺等。
日文名稱: パッシベーション膜
這個名詞所屬的領域: 配線製程
多層金屬導線 串擾 低介電常數材料(Low-k) 矽化物 阻障金屬 背面供電 氣隙 接觸窗 晶種層 集膚效應
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