在電晶體的源極、汲極或閘極表面形成NiSi等金屬矽化物，目的為下列何者？

正確答案：C. 降低電極部分的電阻與接觸電阻

金屬矽化物是金屬與矽的化合物，其片電阻比矽擴散層低一個數量級以上，例如NiSi約為15 µΩ·cm。將源極、汲極與閘極表面矽化，可降低片電阻以及與導線的接觸電阻。由於是全面沉積金屬後進行熱處理，只讓與矽接觸的部分反應，再去除未反應的金屬，因此不需光罩即可自對準形成，稱為自對準金屬矽化物（salicide）。材料隨世代由TiSi2、CoSi2演進到NiSi。