關於Cu導線形成時一般採用的鑲嵌法（damascene），下列說明何者正確？

正確答案：B. 在絕緣膜上形成溝槽後填入Cu，再以CMP去除多餘的Cu

鑲嵌法是先在絕緣膜上挖出導線形狀的溝槽，以濺鍍沉積阻障層與Cu晶種層後，再以電鍍填入Cu。最後以CMP磨除表面多餘的Cu與阻障層，導線便只留在溝槽之中。其名稱源自古代大馬士革在金屬上雕刻溝槽、鑲嵌金銀的工藝。同時填入溝槽與導孔的方法稱為雙鑲嵌法。