배선 공정
구리 배선과 다마신 공정, 저유전율(low-k) 재료, RC 지연 등 배선 공정의 기초를 객관식 문제로 학습합니다.
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배선 공정: 핵심 정리
IC에서는 트랜지스터들이 여러 층의 금속 배선으로 연결됩니다. 미세화가 진행되면서 배선 저항과 커패시턴스에 의한 지연(RC 지연)이 성능을 제한하게 되었고, 이에 맞춰 배선 재료가 개선되어 왔습니다.
알루미늄보다 저항이 낮은 구리 배선은 건식 식각이 어려워, 트렌치를 채우고 남은 부분을 CMP로 제거하는 다마신 공정으로 만듭니다. 층간 절연막에는 유전율이 낮은 low-k 재료가 사용됩니다.