什麼是矽化物
矽與金屬的化合物(NiSi、TiSi2等)。形成於源極、汲極與閘極表面,以降低電阻及接觸電阻。
日文名稱: シリサイド
「矽化物」出現在1領域的1道練習題中(先進電晶體(FinFET與GAA)等)。
這個名詞所屬的領域: 配線製程
矽與金屬的化合物(NiSi、TiSi2等)。形成於源極、汲極與閘極表面,以降低電阻及接觸電阻。
日文名稱: シリサイド
「矽化物」出現在1領域的1道練習題中(先進電晶體(FinFET與GAA)等)。
這個名詞所屬的領域: 配線製程
正確答案:A. 提高接觸之半導體的雜質濃度,使能障變薄,讓穿隧電流容易流過
金屬與半導體的界面會形成蕭特基能障。將半導體側的雜質濃度提高到 10²⁰ cm⁻³ 以上,能障的寬度會變薄到數 nm 以下,載子容易藉由穿隧效應穿過,因此接觸電阻會降低。此外,也會採用以鈦等的矽化物形成界面、選擇能障較低的材料、擴大接觸面積等做法,先進世代要求達到 10⁻⁹ Ω·cm² 等級的低接觸電阻率。
此外,也會採用以鈦等的矽化物形成界面、選擇能障較低的材料、擴大接觸面積等做法,先進世代要求達到 10⁻⁹ Ω·cm² 等級的低接觸電阻率。
下列關於降低金屬與半導體接觸電阻之基本方法,何者正確?多層金屬導線 串擾 低介電常數材料(Low-k) 阻障金屬 保護層(Passivation) 背面供電 氣隙 接觸窗 晶種層 集膚效應