配線製程
設置於Cu導線上表面,兼具防止向絕緣膜側擴散與蝕刻終止作用的膜,一般為下列何者?
- A光阻
- B多晶矽
- CSiCN等介電質覆蓋膜
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正確答案:C. SiCN等介電質覆蓋膜
在CMP後露出的Cu導線上表面,會形成SiCN或SiN等介電質覆蓋膜(厚度數nm~數十nm),其作用是防止Cu向上方的絕緣膜擴散,並使下一層導孔的蝕刻停止。覆蓋膜與導線的界面也是電遷移的主要路徑,因此界面的附著性決定了可靠度。由於相對介電常數在5左右,相對偏高,為避免增加導線間電容,要求將其做薄。
- A. 光阻是加工用的暫時性膜。
- B. 多晶矽具導電性,不會用作導線上方的絕緣覆蓋。
- C. 正確。使用SiCN等介電質覆蓋膜。