配線製程

設置於Cu導線上表面,兼具防止向絕緣膜側擴散與蝕刻終止作用的膜,一般為下列何者?

  1. A光阻
  2. B多晶矽
  3. CSiCN等介電質覆蓋膜
查看答案與解析

正確答案:C. SiCN等介電質覆蓋膜

在CMP後露出的Cu導線上表面,會形成SiCN或SiN等介電質覆蓋膜(厚度數nm~數十nm),其作用是防止Cu向上方的絕緣膜擴散,並使下一層導孔的蝕刻停止。覆蓋膜與導線的界面也是電遷移的主要路徑,因此界面的附著性決定了可靠度。由於相對介電常數在5左右,相對偏高,為避免增加導線間電容,要求將其做薄。

  • A. 光阻是加工用的暫時性膜。
  • B. 多晶矽具導電性,不會用作導線上方的絕緣覆蓋。
  • C. 正確。使用SiCN等介電質覆蓋膜。
練習這個領域 前往領域頁面

配線製程的其他題目

  1. 在電遷移試驗中,已知短於某個長度的導線壽命會大幅延長(劣化幾乎不進行)。這個現象的名稱為下列何者?
  2. 導線寬度比晶粒更細,晶粒邊界橫跨導線排列的結構稱為什麼?它對電遷移有何影響?
  3. 高頻率訊號流過導線時,電流集中在導體表面附近,使有效電阻上升的現象稱為什麼?
  4. 將主動元件或導線配置在進行打線接合等的電極焊墊正下方的設計,稱為什麼?
  5. 沉積加入少量錳等的Cu合金,藉由熱處理使其在與絕緣膜的界面自然形成薄阻障層的技術,為下列何者?