LPCVD(減圧CVD)とは
えるぴーしーぶいでぃー
減圧下で行う熱CVD。気体分子の拡散が速くなるため膜厚の均一性や段差被覆性がよく、多数のウエハを縦型炉で一度に処理できる。ポリシリコンや窒化膜の成膜に使われる。
この用語の分野: 成膜(CVD・PVD)
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減圧下で行う熱CVD。気体分子の拡散が速くなるため膜厚の均一性や段差被覆性がよく、多数のウエハを縦型炉で一度に処理できる。ポリシリコンや窒化膜の成膜に使われる。
この用語の分野: 成膜(CVD・PVD)
LPCVDは、数十〜数百Pa程度に減圧して行う熱CVDです。
減圧CVD(LPCVD)の特徴として正しいものはどれか。LPCVDによるシリコン窒化膜は、ジクロロシラン(SiH2Cl2)とアンモニア(NH3)を700〜800 ℃程度で反応させてつくるのが一般的で(3SiH2Cl2 + 4NH3 → Si3N4 + 6HCl + 6H2)、化学量論に近い緻密な膜が得られます。
熱CVDでシリコン窒化膜(Si3N4)を成膜するときに使われる原料ガスの組み合わせとして正しいものはどれか。例えばLPCVDの窒化膜の水素は数%以下ですが、プラズマCVDの窒化膜では20%前後含まれることもあります。
同じ材料の膜で比べたとき、高温の熱CVD膜がプラズマCVD膜より一般に優れている点はどれか。CVD シラン(SiH4) PECVD(プラズマCVD) TEOS MEMS ホスフィン(PH3) イオン注入 ALD HDP-CVD(高密度プラズマCVD) 真空蒸着