ALDとは
えーえるでぃー
原子層堆積。前駆体ガスの自己制限的な表面反応を繰り返し、原子層単位で膜厚を制御する成膜法。
この用語の分野: 成膜(CVD・PVD)
解説の中の「ALD」
ALDでは、原料ガス(前駆体)を供給して表面に1層分だけ吸着させ、余分なガスをパージで除いたあと反応ガスを供給して反応させる、というサイクルを繰り返します。
ALD(原子層堆積)の特徴として正しいものはどれか。ALDは原子層単位で膜厚を制御でき、段差被覆性に優れるため、High-kゲート絶縁膜の酸化ハフニウム、メタルゲートやバリア層の窒化チタン、DRAMキャパシタの酸化ジルコニウム、3D NANDの電荷トラップ層まわりの膜、マルチパターニングのスペーサーなど、薄く均一な膜が必要な用途で使われています。
ALDで成膜される代表的な材料の例として正しいものはどれか。PEALDでは、反応の段階でプラズマを使って酸素や窒素、水素の反応性の高いラジカルをつくるため、熱ALDより低い温度(室温〜数百℃)で成膜でき、熱では反応しにくい材料の組み合わせ(SiNやTiNなど)にも使えます。
プラズマを使うALD(PEALD)の利点として正しいものはどれか。
「ALD」が出てくる問題(17問)
- ALD(原子層堆積)の特徴として正しいものはどれか。
- ALDで成膜される代表的な材料の例として正しいものはどれか。
- プラズマを使うALD(PEALD)の利点として正しいものはどれか。
- ALDの1サイクルで成膜される膜厚の目安として正しいものはどれか。
- ALDで、表面の自己停止的な反応によって1サイクルあたりの膜厚が一定になる温度の範囲を何と呼ぶか。
- HfO2のゲート絶縁膜をALDで成膜するときに使われる原料の組み合わせの例として正しいものはどれか。
- DRAMのキャパシタの誘電体膜に、酸化ジルコニウムなどのHigh-k材料が使われる理由として正しいものはどれか。
- 近年、FeRAMや強誘電体トランジスタ(FeFET)の材料として注目されている、CMOSプロセスと相性のよい強誘電体材料はどれか。
- FinFETの細いフィンをつくるのに使われる、側壁スペーサーを利用してリソグラフィの限界より細かいパターンをつくる技術はどれか。
- ナノシート型GAAトランジスタの製造で、SiとSiGeを交互に積み重ねた層からSiGe層だけを選択的に除去する理由として正しいものはどれか。
- シリコンの熱酸化における酸化速度の面方位依存性として正しいものはどれか。
- 成膜におけるステップカバレッジ(段差被覆性)の説明として正しいものはどれか。
- 熱CVDでシリコン窒化膜(Si3N4)を成膜するときに使われる原料ガスの組み合わせとして正しいものはどれか。
- 半導体の製造で扱う薄膜の厚さの目安として最も適切なものはどれか。
- スパッタリングや蒸着などのPVDで、深い溝の側壁や底に膜がつきにくい主な理由はどれか。
関連する用語
CVD アスペクト比 マルチパターニング ラジカル FinFET GAA(ゲートオールアラウンド) プリカーサ(前駆体) 3D NAND プラズマ バンドギャップ