成膜(CVD・PVD)

プラズマCVDで成膜したシリコン窒化膜の特徴として正しいものはどれか。

  1. A水素を比較的多く含み、熱CVD膜より密度が低くなりやすい
  2. B完全に化学量論組成(Si3N4)で水素を含まない
  3. C金属のように電気を通す
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正解：A. 水素を比較的多く含み、熱CVD膜より密度が低くなりやすい

プラズマCVDのシリコン窒化膜は、シランやアンモニアなどを300〜400℃程度の低温で反応させるため、Si-HやN-Hの形で水素を多く含みます。そのため熱CVD膜より密度が低く、エッチング速度が速くなりやすい特徴があります。保護膜(パッシベーション膜)などに使われます。

  • A. 正しい。水素を多く含み、密度が低めになります。
  • B. 低温で成膜するため、水素を含み組成もずれやすくなります。
  • C. シリコン窒化膜は絶縁体です。
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